На одном транзисторе и одном элементе логической микросхемы можно собрать импульсный генератор (Рис.1).
При включении питания на выходе микросхемы DD1 появляется логическая <1>. Напряжение с выхода микросхемы заряжает один из конденсаторов С1 – С7 ( в зависимости от положения переключателя диапазонов S1 ) по цепи: выход микросхемы ( вывод 3 ), резистор R4, конденсатор, открытый переход транзистора VT1. Постоянная времени заряда С1 – 7 (R4 + Rбэ). По окончании отрицательное напряжение на левой по схеме обкладке конденсатора закрывает транзистор, и конденсатор начинает перезаряжаться, т.к. на выходе микросхемы устанавливается низкий уровень напряжения. Сопротивление закрытого транзистора велико и перезаряд происходит по цепи: левая обкладка конденсатора, резистор R2, резистор R1, источник питания, микросхема DD1. На выходе микросхемы, на конденсаторе и, следовательно, на базе транзистора напряжение меняется. Как только на базе появится напряжение +0,5 … 0,7 В, транзистор открывается, на входе DD1 появляется низкий потенциал, на выходе – высокий и весь цикл повторяется
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Диапазон генерируемых колебаний, Гц ……… 0,2 … 5х105
Скважность импульсов ……….. 2 … 1000
Стабильность частоты при изменении напряжения питания
на ±5 % не хуже, % ……… 8 … 10
На Рис.2 показана схема аналогичного генератора, позволяющая получить импульсы высокочастотных колебаний. Генератор ВЧ колебаний ( 18 МГц ) собран на элементах DD1.2 – DD1.4, его запускают импульсы с частотой 300 Гц, получаемые от генератора, собранного на транзисторе VT1 и элементе D1.1.
При подключении такого генератора к телевизору появляются шесть горизонтальных полос и слышен фон звуковой частоты.
Э. П. Борноволоков, В. В. Фролов. «РАДИОЛЮБИТЕЛЬСКИЕ СХЕМЫ». Киев, «ТЕХНИКА» 1985г, стр. 212